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软银与英特尔联袂开发新型AI内存芯片，旨于显著降低电力耗损，助力日本构建高效节能的AI基础举措措施。按照日经亚洲的报导，两边规划设计一种新型重叠式DRAM芯片，采用与现有高带宽内存（HBM）差别的布线方式，估计将电力耗损削减约50%。 该项目由新建立的公司Saimemory卖力，技能来历在英特尔，并联合了东京年夜学等日本高校的专利结果。Saimemory将专注在芯片设计与专利治理，而制造则交由外部代工场。项目方针是于两年内完成原型，并于2020年月实现贸易化，总体投资估计到达100亿日元（约合5亿元人平易近币）。 软银作为重要投资方，已经出资30亿日元（约合1.5亿元人平易近币），同时日本理化学研究所与神港精机也于思量介入资金或者技能撑持。此外，项目方还有规划申请当局撑持。 跟着AI于企业治理等高阶范畴的深切运用，对于高机能、高效率的数据处置惩罚能力的需求不停增长，这款新型存储器有望以更低的成本构建高质量的数据中央，满意市场需求。
